인텔® 22nm 기술

대량 제조가 가능한 세계 최초의 3D 트랜지스터

3D, 22nm: 성능과 전원 효율성이 최고 수준으로 결합된 신기술

인텔은 미래의 마이크로프로세서 제품군을 위해 근본적으로 다른 기술인 22nm 기반의 3D 트랜지스터를 채택했습니다. 새로운 트랜지스터를 통해 인텔은 앞으로도 꾸준히 무어의 법칙을 추구하고, 향후 수년간 소비자가 예측하는 기술 발전의 속도를 유지할 수 있게 되었습니다.

마이크로프로세서의 핵심인 트랜지스터는 그동안 2D(평면) 기기였습니다. 인텔® 3D 트리게이트 트랜지스터와 이를 대용량으로 제조할 수 있는 역량은 컴퓨터 칩의 근본적인 구조에 드라마틱한 변화를 일으켰습니다. 트랜지스터의 역사에 대해 자세히 알아보십시오.

또한 이러한 역량은 인텔이 세계에서 가장 빠른 슈퍼컴퓨터에서 초소형 모바일 휴대용 기기에 이르기까지 전력 제품 분야에서 선두주자의 자리를 유지할 수 있음을 뜻합니다.

작을수록 좋다

트랜지스터의 크기와 구조는 최종 사용자에게 무어의 법칙에서 말하는 이점을 전달하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 즉 트랜지스터는 크기가 작을수록, 전력 효율이 높을수록 더 좋습니다. 2007년 High-K/Metal Gate의 45nm, 2009년 32nm, 2011년 대량 로직 공정이 시작된 세계 최초 3D 트랜지스터 22nm까지 인텔은 세계 최초 시리즈를 통해 제조 기술을 지속적으로 미세화하고 있습니다.

더 작아진 3D 트랜지스터를 통해 인텔은 전원 효율성이 뛰어난 더 강력한 프로세서를 설계할 수 있습니다. 신기술은 혁신적인 마이크로아키텍처와 SOC(System-on-Chip) 설계, 서버와 PC 및 스마트폰을 아우르는 신제품 그리고 혁신적인 소비자 제품의 기반이 됩니다.

3차원 트랜지스터

인텔® 3D 트리게이트 트랜지스터는 3D 구조의 실리콘 채널을 3개의 게이트로 둘러싸는 방식으로 최상의 성능과 에너지 효율을 제공합니다. 인텔은 스마트폰과 태블릿 등의 휴대용 기기에서 초저전력의 고유한 장점을 활용하는 동시에 고급형 프로세서에 일반적으로 기대되는 향상된 성능을 제공할 수 있도록 새 트랜지스터를 설계했습니다.

프로세서의 혁신 지원

새 트랜지스터는 낮은 전압에서도 효율이 매우 뛰어나기 때문에 인텔® 아톰™ 프로세서 디자인 팀은 22nm 인텔® 아톰™ 마이크로아키텍처에 대한 아키텍처 접근 방식을 혁신적으로 개선할 수 있습니다. 새로운 설계는 특히 초저전력 3D 트리게이트 트랜지스터 기술의 장점을 극대화하며, 22nm 3D 트리게이트 트랜지스터에 기반한 향후 인텔의 SoC 제품은 SoC로서는 매우 낮은 1mW 미만의 유휴 전력을 달성하게 될 것입니다.

앞서가는 기술로 사용자에게 지속적인 혜택을 제공하는 인텔

2011년 말에 소개된 3세대 인텔® 코어™ 프로세서는 3D 트랜지스터를 활용한 최초의 고용량 칩이었습니다.

인텔은 22nm 3D 트랜지스터 기술로 서버와 PC, 노트북, 휴대용 기기 분야에서 리더로서의 자리를 유지하고 있습니다. 이와 더불어 소비자와 기업체는 더 빠른 컴퓨팅 및 그래픽, 다양하고 세련된 폼 팩터에서 더 길어진 배터리 수명 등의 이점을 기대할 수 있습니다.

 

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