인텔® Stratix® 10 MX FPGA
인텔® Stratix® 10 MX FPGA는 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터 센터, 가상 네트워킹 기능(NFV) 및 브로드캐스트 애플리케이션을 위한 필수 다기능 가속기입니다. 이러한 장치는 인텔® Stratix® 10 FPGA 및 SoC FPGA의 프로그래밍 가능성과 유연성을 3D 스택형 고대역폭 메모리 2(HBM2)와 결합합니다. 인텔® Hyperflex™ FPGA 아키텍처는 인패키지 메모리 타일의 대역폭을 효과적으로 활용할 수 있는 고성능 코어 패브릭을 가능하게 합니다. DRAMM 메모리 타일은 인텔의 임베디드 멀티 다이 인터커넥트 브리지(EMIB) 기술을 사용하여 FPGA와 물리적으로 연결되어 있습니다.
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인텔® Stratix® 10 MX FPGA
기능 및 이점
더 큰 메모리 대역폭
인텔® Stratix® 10 MX 장치는 DDR4 SDRAM과 같은 현재 개별 메모리 솔루션에 비해 10배 더 큰 대역폭을 제공합니다. 기존 DDR4 DIMM은 최대 21Gbps의 대역폭을 제공하는 반면 1개의 HBM2 타일은 최대 256Gbps를 제공합니다. 인텔® Stratix® 10 MX 장치는 최대 2개의 HBM2 장치를 단일 패키지에 통합하여 최대 512Gbps의 메모리 대역폭을 지원합니다.
저전력 및 와트당 최적의 성능
인텔® Stratix® 10 MX 장치는 코어 패브릭 옆에 HBM2 메모리를 통합합니다. 코어 패브릭과 메모리 간의 인터커넥트는 훨씬 더 짧기 때문에 긴 PCB 트레이스를 구동하는 데 전통적으로 소비되는 전력량이 줄어듭니다. 트레이스는 종결되지 않으며 용량성 부하가 감소하여 I/O 정류 소비량이 줄어듭니다. 그 결과 시스템 전력 소비가 낮아지고 와트당 최적의 성능을 얻게 되었습니다.
팩터 및 간편한 사용
인텔® Stratix® 10 MX 패키지는 메모리 구성 요소를 통합하여 PCB 설계의 복잡성을 줄입니다. 이러한 구현으로 소형 폼 팩터와 간단한 사용 모델을 지원하여 유연성이 뛰어나고 사용하기 간편하며 확장 가능한 솔루션을 제공합니다. 이 기능의 한 가지 예는 임베디드 SRAM(eSRAM)으로, 별도 QDR IV-10661에 비해 11.25X 더 많은 집계(읽기 및 쓰기) 대역폭과 2.6X 더 낮은 총 전력으로 기존 블록 RAM을 보완합니다. 향상된 임베디드 SRAM은 최고 수준의 임의 트랜잭션 비율(RTR)이 필요한 응용 프로그램에 이상적이며, 개별 QDR의 필요성을 대체 또는 최소화하고 EMIF I/O 소비를 없앱니다.
EMIB를 사용하는 칩레벨 통합
인텔에서 개발한 혁신적인 EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge) 패키징 기술은 아날로그, 메모리, ASIC, CPU와 같은 시스템 핵심 구성 요소의 효과적인 인패키지 통합을 가능하게 합니다. EMIB는 다른 인패키지 통합 기술에 비해 더 간단한 제조 흐름을 제공합니다. EMIB는 TSV(Through Silicon Vias) 및 특수 인터포저 실리콘의 사용을 줄입니다. 그 결과, 성능이 뛰어나고 덜 복잡하며 우수한 신호 및 전력 무결성을 갖춘 고도로 통합된 시스템 인패키지 제품을 제공합니다. 인텔 EMIB 기술에 대해 자세히 알아보십시오.
메모리
패키지 내 근접 메모리가 있는 FPGA
인텔의 근접 메모리 솔루션은 동일한 패키지 내에서 FPGA에 근접한 고밀도의 DRAM을 통합합니다. 이 구성에서 인패키지 메모리는 기존 메인 메모리와 비교할 때 최대 10배 더 높은 대역폭으로 훨씬 더 빠르게 액세스할 수 있습니다. 또한 근접 메모리 구성으로 FPGA와 메모리 간의 트레이스를 줄여 보드 면적과 함께 시스템 전력을 줄입니다.
DRAM SiP(시스템 인패키지) 솔루션은 HBM2(고대역폭 메모리 2)를 활용하여 데이터 센터, 브로드캐스트, 유선 네트워킹 및 고성능 컴퓨팅 시스템 등과 같이 지속적으로 증가하는 데이터 양을 처리하는 고성능 시스템에서 메모리 대역폭 병목 현상을 줄입니다.
HBM2 DRAM
HBM2 DRAM은 TSV(Through Silicon Vias) 기술을 사용하여 여러 개의 DRAM 다이를 수직으로 적층하는 3D 메모리입니다. HBM2 DRAM은 개별 DDR 기반 솔루션과 비교했을 때 더 높은 메모리 대역폭, 더 낮은 시스템 전력 소비, 소형 폼 팩터를 제공하여 와트당 최고의 대역폭을 지원합니다.
인텔® Stratix® 10 MX 장치는 고성능 모놀리식 14nm FPGA 다이와 함께 HBM2 타일을 통합하여 개별 DRAM 솔루션에 비해 10배 이상 높은 메모리 대역폭을 제공합니다.
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