클라우드 개념. 최적화된 성능.

요점

  • 차세대 144-레이어 TLC 인텔® 3D NAND 기술

  • 낮은 지연 시간으로 광범위한 클라우드 데이터 센터 워크로드 가속화

  • 기업 보안 및 관리 기능 향상

  • 혼합 IO에 따른 응답

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

다양한 워크로드에 걸쳐 오늘날의 데이터 센터 성능, 관리 기능 및 I/O 요구 사항 충족

144 레이어, TLC, 인텔® 3D NAND 기술로 설계된 인텔® SSD D7-P5510은 올플래시 어레이에 최적화된 성능과 용량을 제공하며 IT 효율성 및 데이터 보안을 강화하도록 설계되었습니다. 인텔 SSD D7-P5510은 기업 및 클라우드 환경을 위한 짧은 지연 시간, 향상된 관리 기능, 확장성 및 중요하고 새로운 NVMe 기능을 제공하는 인텔 PCIe 4.0 컨트롤러 및 펌웨어가 포함되어 있습니다.

이러한 SSD는 U.2 15mm 폼 팩터로 이용 가능하며, 3.84TB 및 7.68TB의 쓰기 내구성으로 하루 최대 1 드라이브 쓰기(DWPD)를 제공합니다.

짧은 지연 시간으로 성능 향상

인텔 SSD D7-P5510은 예측 가능한 빠른 고성능을 제공하며 올플래시 어레이를 크게 촉진시킬 수 있습니다. 성능이 최적화된 D7-P5510은 이전 세대의 인텔 SSD에 비해 순차 읽기 성능이 최대 2배 더 향상되었고1, 지연 시간이 50% 단축되었으며2, 혼합 워크로드 IOP(70% 읽기, 30% 쓰기)가 50% 증가했습니다3.

새로운 TRIM 아키텍처는 데이터 세트 관리 명령이 사용되는 실시간 워크로드의 성능을 더욱 향상시킵니다. 최적화된 TRIM 아키텍처는 이제 워크로드를 방해하지 않고도 백그라운드 프로세스를 실행하여 동시 TRIM 중에 성능 및 QoS를 개선합니다. TRIM 프로세서는 드라이브가 내구성 목표를 달성하는 데 도움이 되는 쓰기 증폭 감소를 통해 개선되었습니다.

드라이브 성능, IT 효율성, 데이터 보안 및 관리 효율성을 위한 펌웨어 개선 사항

인텔 SSD D7-P5510은 점점 데이터 중심이 되어가는 세계에서 IT 효율성 및 데이터 보안을 개선하기 위해 특별히 설계된 수많은 펌웨어의 향상 기능을 포함하고 있습니다.

역동적이고 다양한 네임스페이스는 런타임 프로비저닝과 스토리지 관리를 향상시킵니다. 단일 네임스페이스로 드라이브를 오버프로비저닝하여 내구성을 향상시키고 랜덤 쓰기 성능을 향상시킵니다.4

  • 확장된 LBA 포맷 지원은 소프트웨어를 호스트하여 페이로드 데이터와 함께 메타 데이터 및 보호 정보를 전달할 수 있는 융통성을 제공합니다. 인텔 SSD D7-P5510은 512/520/4096/4104/4160B 섹터 크기로 VSS를 지원합니다.
  • SGL(분산 수집 목록)은 호스트에서 데이터를 정렬할 필요가 없도록 함으로써 성능을 향상시킵니다.
  • 향상된 SMART 모니터링이 인밴드 매커니즘 및 아웃오브밴드 접근을 사용하여 I/O 데이터 흐름을 중단하지 않고 드라이브 상태를 보고합니다.
  • 기기 자체 테스트는 기기가 예상대로 작동하는지 확인함으로써 고객 경험을 향상시킵니다. 호스트 시스템은 스토리지 장치(SSD)에서 SMART 확인, 휘발성 메모리 백업, NVM 무결성 및 드라이브 수명이 제대로 작동하는지 확인하기 위해 테스트 수행을 요청할 수 있습니다.
  • 원격 측정은 저장 데이터에 광범위한 접근을 가능하게 만들고 지능적인 오류 추적과 로깅 기능을 포함합니다. 이를 통해 문제를 발견하고 완화함으로써 신뢰성이 향상되며 검증 주기가 가속화될 수 있습니다. 이 모든 것이 IT 효율성을 높이는 결과를 가져옵니다.
  • TCG Opal 2.0, 구성 가능한 네임스페이스 잠금, 삭제 및 포맷 NVM과 같은 추가 보안 기능이 지원됩니다.
  • 자체 테스팅 기능이 내장된 PLI 보호 체계를 통해 시스템 전원이 갑자기 끊어질 경우 데이터 손실을 방지합니다. 종단간 데이터 경로 보호 체계와 결합한 5 PLI 기능으로 시스템 수준 결함에서 발생하는 데이터 손상을 용납하지 않는 탄력적 데이터 센터에 쉽게 배치할 수 있습니다.

NAND 기술 업계 리더

기업 고객은 업계 최고의 영역 밀도6와 데이터 보존7 기능을 제공하는 인텔의 144 레이어 3D NAND 기술을 통해 자신 있게 스토리지 배열을 확장하여 증가하는 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 소프트웨어 정의 및 하이퍼 컨버지드 인프라의 신속한 채택은 운영을 안정적으로 유지하면서 효율성을 극대화하고, 기존 하드웨어를 활성화하며, 서버 민첩성을 높여야 한다는 요구 사항을 증가시킵니다.

상위 기업 서버 제조업체는 확장성 높은 성능, 짧은 지연 시간 및 지속적인 혁신을 통해 PCIe/NVMe에 기반한 SSD를 공개적으로 수용함으로써 대응했습니다. AI 및 분석을 비롯해 증가하는 I/O 집약적인 워크로드의 수요를 충족하는 일은 모든 기업 전략의 핵심 요소가 되었습니다.

특징 한 눈에 보기

모델 인텔® SSD D7-P5510
용량 및 폼 팩터 U.2 15mm: 3.84 TB, 7.68 TB
인터페이스 PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
미디어 인텔® 3D NAND 기술, 144 레이어, TLC
성능 128K 순차 R/W 최대 7,000/4,194MB/s
랜덤 4KB R/W 최대 930K/190K IOPS
내구성 1DWPD(최대 14PBW)
안정성

UBER: 1017비트당 1섹터 읽기

MTBF: 200만 시간
소비 전력

최대 활성 쓰기 평균: 18W

유휴: 5W
보증 5년 제한적 보장
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AI용 스토리지 인프라

AI의 가치를 실현하기 위해서는 다양한 AI 스토리지 워크로드를 가속화하는 동시에 스토리지 효율성을 개선하는 것이 중요합니다. 빠르고 효율적이며 확장가능한 AI 데이터 스토리지 파이프라인을 구성하는 방법에 대해 알아보십시오.

AI를 지원하도록 스토리지를 현대화하십시오

인텔® 솔리드 스테이트 드라이브


스토리지의 혁신을 주도하기 위해 개발되고 있는 기술에 대해 알아보십시오.

공지 및 면책 사항8

각주 1-3: est 및 시스템 구성: 메인보드: 인텔® 서버 보드 S2600WFT, 버전: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, 플랫폼 아키텍처: x86_64, CPU:인텔® 제온® Gold 6140 CPU @ 2.30GHz, CPU 소켓: 2, RAM 용량: 32G, RAM 모델: DDR4, OS 버전: centos-release-7-5, 빌드 ID : 1804, 커널: 4.14.74, NVMe 드라이버: 받은 편지함, Fio 버전: 3.5, Microsemi의 PCIe 4.0 스위치가 사용됨. P5510, P5316은 각각 JCV10100 과 ACV10005 펌웨어에서 테스트되었습니다.

제품 및 성능 정보

1

최대 2.00x의 순차 읽기 성능 향상 - 인텔® SSD DC P4510의 128KB 순차 읽기(3.0GB/s)와 비교한 인텔® SSD D7-P5510의 128KB 순차 읽기(7.0GB/s)를 근거로 합니다. 테스트 날짜: 2020년 10월.

2

최대 50% 향상된 지연 시간 – 6(9초)에서 4KB 무작위 75/25 워크로드를 기준으로 합니다. 인텔® SSD D7-5510(1100us)은 인텔® SSD DC P4510(2539us)에 비해 지연 시간이 50% 향상되었습니다. 테스트 날짜: 2020년 10월.

3

최대 50% 향상된 혼합 워크로드 IOP - 인텔® SSD DC P4510, 8TB(226K)와 비교한 인텔® SSD D7-P5510, 7.684TB의 4KB 혼합 70/30(400K)을 근거로 합니다. 테스트 날짜: 2020년 10월.

4

 더 작은 단일 네임스페이스의 이점이 있는 오버프로비저닝 드라이브는 다음 문서에서 확인할 수 있습니다: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

출처 – Los Alamos. 출처에서 테스트된 드라이브: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. 10^6 중성자 가속 계수. 테스트는 단일 포트 SSD인 인텔® SSD DC S3520, 인텔® SSD DC P3520, 인텔® SSD DC P3510, 인텔® SSD DC P4500, 인텔® SSD DC S4500, 인텔® SSD DC P4800X, 인텔® SSD D7-P55XX, 인텔® SSD D7-P56XX, 삼성 PM953, 삼성 PM1725, 삼성 PM961, 삼성 PM863, 삼성 PM963, 삼성 860DCT, 삼성 PM883, 삼성 PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000 드라이브를 대상으로 수행했습니다. 인텔 단일 포트 드라이브에서 측정된 알 수 없는 데이터 손상 없음은 >500만 시간의 누적 측정 시간을 보여줍니다. 알 수 없는 데이터 손상률을 파악하고 전체적인 엔드투엔드 데이터 보호 효과를 측정하기 위해 중성자 방사를 사용했습니다. SSD 컨트롤러에서의 데이터 손상 원인으로는 이온화 방사선과 SRAM 불안정이 있습니다. 알 수 없는 오류는 드라이브에서 반환되는 예상 데이터와 실제 데이터를 비교하여 런타임 및 드라이브 중단 후 재부팅 시 측정했습니다. 연간 데이터 손상률은 가속 테스트 시의 비율을 빔의 가속도로 나누어 추정합니다(JEDEC 표준 JESD89B/C 참조).

6

출처: ISCC 2015, J. Im, ISSCC 2017 R Yamashita, ISSCC 2017 C Kim, ISSCC 2018 H. Maejima, ISSCC 2019 C. Siau.

7

측정은 플로팅 게이트 및 CTF(Charge Trap Flash) 기술을 사용해 SSD의 구성 요소에서 수행되었습니다. 사용된 측정 플랫폼은 Teradyne Magnum 2 Memory 테스트 시스템이었으며, 임의 패턴 및 마진을 사용한 프로그래밍은 고객 명령을 통해 정량화되었습니다. 2019년 8월 측정 데이터.

8

성능은 사용, 구성 및 기타 요인에 따라 다릅니다. 더 자세한 내용은 www.Intel.co.kr/PerformanceIndex 을 참조하십시오.

성능 결과는 구성에 표시된 날짜의 테스트를 기반으로 하며 공개된 모든 업데이트가 반영되어 있지 않을 수도 있습니다. 구성 백업 상세 정보를 확인하십시오. 어떤 제품 또는 구성 요소도 절대적으로 안전할 수는 없습니다.

비용과 결과는 다를 수 있습니다.

인텔은 타사 데이터를 제어하거나 감사하지 않습니다. 정확성을 평가하려면 기타 소스를 참고해야 합니다.

인텔 기술에는 지원되는 하드웨어, 소프트웨어 또는 서비스 활성화가 필요할 수 있습니다.