주요 정보

용량
1 TB
상태
Discontinued
출시일
Q2'19
사용 조건
PC/Client/Tablet

성능 사양

순차 읽기(최대)
2400 MB/s
순차 쓰기(최대)
1800 MB/s
랜덤 읽기(8GB 스팬) (최대)
330000 IOPS (4K Blocks)
랜덤 쓰기(8GB 스팬) (최대)
250000 IOPS (4K Blocks)
전력 - 활성
5.8W
전력 - 유휴
L1.2 : <13mW

안정성

진동 - 작동
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
진동 - 비작동
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
충격(작동 및 비작동)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
작동 온도 범위
0°C to 70°C
최대 작동 온도
70 °C
최소 작동 온도
0 °C
내구성 평가(수명 기록)
300 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.6 Million Hours
수정 불능 비트 오류율(UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
보증 기간
5 yrs

보조 정보

제품 개요
추가 정보 URL
설명
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

패키지 사양

무게
Less than 10 grams
폼 팩터
M.2 22 x 80mm
인터페이스
PCIe 3.0 x4, NVMe

고급 기술

향상된 전력 손실 데이터 보호
온도 모니터링 및 로깅
엔드-투-엔드 데이터 보호
인텔® 빠른 스타트 기술