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기술 사양

주요 정보

용량
1 TB
제품 콜렉션
인텔® Optane™ 메모리 H10 및 솔리드 스테이트 스토리지
상태
Launched
출시일
04/10/2019
사용 조건
PC/Client/Tablet

성능

순차 읽기(최대)
2400 MB/s
순차 쓰기(최대)
1800 MB/s
랜덤 읽기(8GB 스팬) (최대)
330000 IOPS
랜덤 쓰기(8GB 스팬) (최대)
250000 IOPS
지연 - 읽기
7 µs
지연 - 쓰기
18 µs
전력 - 활성
5.8W
전력 - 유휴
L1.2 : <13mW

안정성

작동 온도(최대)
70 °C
작동 온도(최소)
0 °C
진동 - 작동
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
진동 - 비작동
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
충격(작동 및 비작동)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
작동 온도 범위
0°C to 70°C
내구성 평가(수명 기록)
300 TBW
평균 무고장 시간(MTBF)
1.6 Million Hours
수정 불능 비트 오류율(UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
보증 기간
5 yrs

보조 정보

설명
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

패키지 사양

무게
Less than 10 grams
폼 팩터
M.2 22 x 80mm
인터페이스
PCIe NVMe 3.0 x4

고급 기술

향상된 전력 손실 데이터 보호
온도 모니터링 및 로깅
엔드-투-엔드 데이터 보호
인텔® 빠른 스타트 기술

리뷰

제품 및 성능 정보

이 기능을 모든 컴퓨팅 시스템에서 사용할 수 있는 것은 아닙니다. 공급업체에 문의하여 시스템이 기능을 제공하는지 확인하거나 시스템 사양(마더보드, 프로세서, 칩셋, 전원 공급, HDD, 그래픽 컨트롤러, BIOS, 드라이버, 가상 머신 모니터(VMM), 플랫폼 소프트웨어 및 운영 체제)을 참조하여 기능 호환성을 확인하십시오. 기능, 성능 또는 기타 장점은 시스템 구성에 따라 달라집니다.