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기술 사양

주요 정보

용량
4 TB
상태
Launched
출시일
Q2'17
리소그래피 유형
3D NAND TLC

성능

순차 읽기(최대)
3200 MB/s
순차 쓰기(최대)
1800 MB/s
랜덤 읽기(100% 스팬)
645000 IOPS
랜덤 쓰기(100% 스팬)
48000 IOPS
지연 - 읽기
85 µs
지연 - 쓰기
20 µs
전력 - 활성
Sequential Avg. 20.5W (Write), 10.7W (Read)
전력 - 유휴
<5 w

안정성

진동 - 작동
2.17 GRMS
진동 - 비작동
3.13 GRMS
충격(작동 및 비작동)
50 G Trapezoidal, 170 in/s
작동 온도 범위
0°C to 35°C
내구성 평가(수명 기록)
4.84 PBW
평균 무고장 시간(MTBF)
2 million hours
수정 불능 비트 오류율(UBER)
<1 sector per 10^17 bits read
보증 기간
5 yrs

보조 정보

패키지 사양

무게
181g
형식 계수
HHHL (CEM3.0)
인터페이스
PCIe NVMe 3.1 x4

고급 기술

향상된 전력 손실 데이터 보호
하드웨어 암호화
AES 256 bit
High Endurance Technology(HET)
아니요
온도 모니터링 및 로깅
엔드-투-엔드 데이터 보호
인텔® 스마트 응답 기술
아니요
Intel® Remote Secure Erase
아니요
Intel® Rapid Start Technology
아니요

리뷰

기능 및 이점

클라우드를 위한 스토리지. 스토리지 최적화.

고효율 용량으로 인해 서버당 더 많은 작업을 처리할 수 있고, TCO는 절감되는 한편 클라우드 인프라의 민첩성은 제고됩니다.

클라우드 스토리지 효율에 최적화

완전히 새로운 NVMe* 컨트롤러를 기반으로 설계되었으며 클라우드를 지원하는 이 SSD는 읽기 집약적인 워크로드에 최적화되었으며 CPU 사용률을 극대화할 수 있도록 설계되었습니다. 데이터 센터에 인텔 SSD DC P4500 시리즈를 도입하면 더 많은 사용자를 수용하고 더 많은 서비스를 추가하며 서버당 더 많은 워크로드를 처리할 수 있습니다. 이제 더 많은 데이터를 저장하고 더 많은 인사이트를 창출할 수 있습니다.

뛰어난 품질과 안정성

업계 최고의 품질과 안정성을 바탕으로 드라이브의 가용성이 극대화되고 데이터가 안전하게 보호됩니다. 저장 중 데이터(data-at-rest) 암호화가 지원되므로 데이터 보안 침해의 위험이 최소화되며, 업계 최고의 엔드 투 엔드 보호로 알 수 없는 데이터 오류가 발생할 확률이 줄어듭니다.1

고급 관리 및 서비스 기능

NVMe-MI와 같은 고급 관리 기능을 바탕으로 설계된 인텔 SSD DC P4500 시리즈는 더 많은 장치의 상태를 원격으로 모니터링, 관리 및 정정하고 핵심적인 서비스의 스트리밍을 지원합니다.

제품 및 성능 정보

이 기능을 모든 컴퓨팅 시스템에서 사용할 수 있는 것은 아닙니다. 공급업체에 문의하여 시스템이 기능을 제공하는지 확인하거나 시스템 사양(마더보드, 프로세서, 칩셋, 전원 공급, HDD, 그래픽 컨트롤러, BIOS, 드라이버, 가상 머신 모니터(VMM), 플랫폼 소프트웨어 및 운영 체제)을 참조하여 기능 호환성을 확인하십시오. 기능, 성능 또는 기타 장점은 시스템 구성에 따라 달라집니다.
1

출처 - 인텔 엔드투엔드 데이터 보호란 호스트와 SSD 컨트롤러/미디어 간에 데이터를 읽거나 쓸 때 전체 주소에서 데이터의 무결성을 감지하고 정정하는 데 사용되는 일련의 방식을 의미합니다. 테스트는 인텔® SSD DC S3520, 인텔® SSD DC P3520, 인텔® SSD DC P3510, 인텔® SSD DC P4500, 삼성* PM953, 삼성 PM1725, 삼성 PM961, 삼성 PM863, Micron* 7100, Micron 510DC, Micron 9100, HGST* SN100, Seagate* 1200.2, SanDisk* CS ECO 드라이브로 실시했습니다. 인텔과 경쟁사의 평균 드라이브 오류율을 비교한 결과를 기준으로 합니다. 알 수 없는 데이터 손상율을 파악하고 전체적인 엔드투엔드 데이터 보호 효과를 측정하기 위해 중성자 방사를 사용했습니다. SSD 컨트롤러의 데이터 손상 원인으로는 이온화 방사선, 신호 잡음 및 혼선, SRAM 불안정성 등이 있습니다. 알 수 없는 오류는 드라이브에서 반환되는 예상 데이터와 실제 데이터를 비교하여 런타임 및 드라이브 중단 후 재부팅 시 측정했습니다. 연간 데이터 손상율은 가속 테스팅 중 비율을 빔의 가속도로 나누어 예상합니다. JEDEC 표준 JESD89A를 참조하십시오.