인텔® 데스크탑 보드 DB65AL 시스템 메모리
시스템 메모리 기능
이 보드는 DIMM 소켓을 4 개 가지 며 다음 메모리 기능을 지원 합니다.
- 인터리브 모드를 지 원하는 2 개의 독립형 메모리 채널
- X8 조직에서 비 ECC, 버퍼 되지 않음, 단면 또는 양면 Dimm 지원
- 32 GB 최대 총 시스템 메모리 (4gb 메모리 기술 탑재)
- 최소 총 시스템 메모리: 1 Gb x8 모듈 사용
- 직렬 상태 감지
- DDR3 1333 MHz 및 DDR3 1066 MHz SDRAM Dimm
적용 가능한 모든 DDR SDRAM 메모리 사양과 완벽 하 게 호환 되려면 보드에는 Serial 인 사이트 (SPD) 데이터 구조를 지 원하는 Dimm이 장착 되어 있어야 합니다. 이를 통해 BIOS는 SPD 데이터를 읽고 칩셋을 프로그래밍 하 여 최적의 성능을 위한 메모리 설정을 정확 하 게 구성할 수 있습니다. 비-SPD 메모리가 설치 된 경우 BIOS는 메모리 설정을 올바르게 구성 하려고 시도 하지만 성능과 안정성이 영향을 받을 수 있습니다. 그렇지 않으면 Dimm이 결정 된 주파수에서 작동 하지 않을 수 있습니다.
1.5 v는 DDR3 메모리 전압에 권장 되는 기본 설정입니다. BIOS 설정 프로그램의 다른 메모리 전압 설정은 성능 튜닝 용도로만 제공 됩니다. 메모리 전압을 변경 하면 (i) 시스템 안정성을 줄일 수 있습니다. (ii) 프로세서 및 기타 시스템 구성 요소가 실패 하는 원인이 될 수 있습니다. (iii) 시스템 성능이 저하 됩니다. (iv) 추가적인 열 또는 기타 손상을 초래 합니다. (v) 시스템 데이터 무결성에 영향을 미칩니다.
인텔은 테스트를 거치지 않았으며, 사양 외의 프로세서 운영을 보증 하지 않습니다. 프로세서 보증에 대 한 자세한 내용은 프로세서 보증 정보 를 참조 하십시오.
| DIMM 용량 | 설정 | SDRAM 밀도 | SDRAM 조직 프론트 사이드/백-사이드 | SDRAM 기기 수 |
| 512 MB | 단면 | 1 Gbit | 64 M x 16/비어 있음 | 4 |
| 1GB | 단면 | 1 Gbit | 128 M x 8/비어 있음 | 8 |
| 1GB | 단면 | 2 Gbit | 128 M x 16/비어 있음 | 4 |
| 2GB | 양면 | 1 Gbit | 128 m x 8/128 M x 8 | 16 |
| 2GB | 단면 | 2 Gbit | 128 M x 16/비어 있음 | 8 |
| 4GB | 양면 | 2 Gbit | 256 m x 8/256 M x 8 | 16 |
| 8gb | 양면 | 4 Gbit | 512 m x 8/512 M x 8 | 16 |
아래 표에는 개발 과정에서 테스트에 통과 한 부품이 나와 있습니다. 이 부품 번호는 제품 라이프 사이클 전체에서 쉽게 구매할 수 없습니다.
| 모듈 제조업체 | 모듈 부품 번호 | 모듈 크기 | 모듈 속도 | ECC 또는 비 ECC | 구성 요소 제조업체 | 구성 요소 부품 번호 |
| Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1GB | 1066 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 |
| Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 | 1GB | 1333 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 |
| Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2GB | 1066 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT125U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2GB | 1333 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 | 4GB | 1066 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4GB | 1333 MHz | 비 ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 |
| 미크론 | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1GB | 1066 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| 미크론 | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1GB | 1333 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| 미크론 | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2GB | 1066 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT16JTF25664AY-1G1D1 |
| 미크론 | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2GB | 1333 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
| 미크론 | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4GB | 1066 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
| 미크론 | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4GB | 1333 MHz | 비 ECC | 미크론 | MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung | M378B2873DZ1-CF8 | 1GB | 1066 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1GB | 1333 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2GB | 1066 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2GB | 1333 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4GB | 1066 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF9 | 4GB | 1333 MHz | 비 ECC | Samsung | M378B5273BH1-CF9 |
