문서 ID: 000078829 콘텐츠 형태: 문제 해결 마지막 검토일: 2011-11-15

활성화 중 메모리 타이밍 위반 읽기 자동 충전으로 새로 고침/활성화

환경

    인텔® Quartus® II 구독 에디션
BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

중요 문제

설명

고성능 컨트롤러 버전으로 제작된 설계의 경우 (HPC) 버전 11.0보다 일찍 메모리 타이밍 위반이 발생할 수 있습니다. 활성화하는 동안 읽기 사전 충전. 설계가 시뮬레이션에 실패할 수 있습니다.

해결 방법

1066 사양을 대상으로 하고 실행 중인 설계의 경우 533 MHz 속도, 타이밍 매개변수 tRP 및 tRCD의 1회 제어 클럭 주기 증가, TRC가 컨트롤러는 메모리 모델의 tRC보다 큽니다.

1066 사양을 대상으로 하고 실행 중인 설계의 경우 400 MHz 속도, 타이밍 매개변수 tRP의 1회 제어 클럭 주기 증가, 컨트롤러의 tRC가 tRC보다 클 수 있도록 메모리 모델.

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