문서 ID: 000082197 콘텐츠 형태: 문제 해결 마지막 검토일: 2012-09-11

듀얼 포트 RAM에서 동일한 주소로 동시 읽기 및 쓰기를 수행하면 어떻게 됩니까?

환경

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
설명

Quartus® II 소프트웨어와 MAX PLUS® II 소프트웨어의 듀얼 포트 RAM에서 동일한 주소를 동시에 읽고 쓰려고 할 때 여러 가지 가능성이 있습니다.

RAM의 출력 포트가 등록되지 않은 경우 다음 상황 중 하나가 발생합니다.

사례 1: 읽기 클럭의 주파수가 쓰기 클럭 주파수의 2배보다 큽니다. 쓰기 클럭은 이 시점에서 데이터를 작성하지 않았습니다. 따라서 읽기 클럭은 이전 데이터 값에 액세스합니다.

사례 2: 듀얼 포트 RAM은 읽기 및 쓰기에 동일한 클럭을 사용합니다. 새로 작성된 데이터는 클럭의 가장자리가 떨어지는 후 출력(tEABDD)에 나타납니다. 느린 클럭 주파수에서 이전 데이터 값은 클럭의 상승 에지 직후에 나타날 수 있으며, 그 다음에는 새로 작성된 데이터가 낙하한 후 tEABDD 에 나타납니다.

RAM의 출력 포트가 등록되면 다음 조건이 유지됩니다.

사례 1: 읽기 클럭이 매우 빠릅니다(주파수 > 1/tEABDD). q 출력은 이전 데이터 값을 읽습니다.

사례 2: 듀얼 포트 RAM은 읽기 및 쓰기에 동일한 클럭을 사용합니다. q 출력은 새로 작성된 데이터 값을 읽습니다.

사례 3: 읽기 및 쓰기 클럭은 관련이 없으며 읽기 클럭의 주파수는 1/tEABD 미만입니다. q 출력은 새로 작성된 데이터 값을 읽습니다.

Go to:TEABDD FLEX에 대한 데이터 출력에 대한 EAB 데이터 인 유효 지연입니다.®10K 장치 및 tESBDD APEX 대한 ESB 데이터 인 데이터 아웃 유효 지연입니다.TM20K 장치, 이러한 매개변수는 해당 장치 제품군 데이터 시트에 지정됩니다.

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인텔® 프로그래밍 가능 장치

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