Intel 14A

세대적 도약

• RibbonFET 2 게이트 올 어라운드 트랜지스터와 PowerDirect 후면 전력 공급을 통해 획기적인 효율성과 성능을 구현합니다.
• Intel 18A 대비 동일 전력에서 15~20%의 성능 향상 또는 동일한 성능에서 25~35% 전력 절감, 최대 30%의 칩 밀도 향상을 제공합니다.¹
• Turbo Cells는 CPU/GPU 성능을 가속화하는 동시에 설계자가 대상 애플리케이션에 맞춰 블록 수준에서 전력-성능 균형을 미세 조정할 수 있도록 지원합니다.

Intel 18A

업계 최고의 혁신

• 업계 최초로 RibbonFET 게이트 올 어라운드 트랜지스터와 PowerVia 후면 전력 공급 기술을 결합했습니다.
• Intel 3 대비 동일 전력에서 최대 18% 더 높은 성능, 동일 성능에서 38% 전력 절감, 30%의 칩 밀도 향상을 제공합니다.²
• PowerVia는 표준 셀 활용도를 개선하고 IR 강하를 줄여 전력 공급과 성능 효율성을 강화합니다.
• RibbonFET는 향상된 정전기 제어, 더 높은 와트당 성능, 더 낮은 Vmin 작동을 지원합니다.
• 완벽한 에코시스템 지원과 설계 지원 기능을 통해 설계에 즉시 활용 가능합니다.
• Intel 18A 노드 제품군에는 최대 9%의 와트당 성능 향상과 향상된 전력 효율성³을 제공하는 Intel 18A-P와 고급 3DIC 통합을 위한 Intel 18A-PT가 포함됩니다.

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Intel 3

인텔의 궁극의 FinFET 노드

• EUV 및 향상된 라이브러리를 활용하여 구동 전류 및 인터커넥트 효율성을 개선합니다.
• 동일 전력에서 인텔 대비 18%의 성능 향상 및 최대 8%의 칩 밀도 향상을 제공합니다.⁴
• 성능과 효율성의 균형을 중시하는 일반 컴퓨팅 애플리케이션에 이상적입니다.
• 이 제품군에는 확장된 I/O 및 아날로그 기능을 제공하는 Intel 3-E와 고밀도 스태킹을 위한 패스스루 TSV를 제공하는 Intel 3-T가 포함됩니다.
• 대량 생산 중이며 설계 서비스 노드로만 제공됩니다.

인텔과 UMC의 12nm 공정 노드

협업 혁신

• 인텔의 FinFET 전문 지식과 UMC의 로직 및 RF 경험을 결합하여 UMC와 공동 개발했습니다.
• 최적화된 FinFET 소자를 사용하여 UMC의 14nm 기술(14FFC) 대비 10% 향상된 성능을 제공하고, 전압을 낮춰 20%의 전력 절감을 구현합니다.
• 모바일, 무선 및 네트워킹 시장에 최적화되어 있습니다.
• 고성장 응용 분야를 지원하는 다각화되고 탄력적인 공급망 대안을 제공합니다.

Intel 16

Planar의 유연성과 FinFET의 장점 결합

• 더 적은 수의 마스크와 간소화된 백엔드 설계 규칙으로 16nm급 성능을 제공합니다.
• 스토리지, RF, mmWave 및 소비자 애플리케이션에 적합합니다.
• 광범위한 채널 길이에서 향상된 단채널 특성을 제공합니다.
• 아일랜드에 위치한 Intel Foundry의 Fab 24에서 대량 생산 중입니다.

Intel Foundry 가속 프로그램 에코시스템 얼라이언스

지적 재산권, EDA, 설계 서비스, 클라우드, USMAG, 가치 사슬 및 칩렛 얼라이언스 등 다양한 핵심 분야에서 에코시스템 파트너들이 포괄적인 지원을 제공합니다.

자세한 정보

업계 리더들은 Intel Foundry를 신뢰합니다

Intel 18A 제품이 시장에 출시되고 노드 포트폴리오가 확장됨에 따라, 고객들은 선도적인 성능과 효율성을 위해 Intel Foundry를 선택하고 있습니다.

인텔은 고객에게 더 큰 확신과 더 명확한 업무 분리를 제공하기 위해 Intel Foundry를 별도의 자회사로 설립할 계획을 발표했습니다.