최첨단 제조 공정 기술로 생산하기
인텔 파운드리를 통해 오늘날까지 지속되고 있는 일관된 혁신을 제공해 온 인텔의 유산을 활용해 보십시오.
4년 내 5개 노드(5N4Y) 그 이상
인텔은 야심찬 4년 내 5개 노드(5N4Y)라는 진행 중인 목표를 이행하면서, Intel Foundry Direct Connect 2024에서 확장된 프로세스 기술 로드맵의 추가 사항을 밝혔습니다.
- 인텔의 최첨단 노드 계획에 대한 인텔 14A,
- 3D 고급 패키징 설계를 위한 TSV(Through Silicon Vias)를 갖춘 인텔 3-PT를 포함한 인텔 3, 인텔 18A, 인텔 14A의 여러 특수 노드 진화, 그리고
- UMC와의 공동 개발을 통해 새로운 12나노미터 노드를 포함한 성숙한 프로세스 노드가 예상됩니다.
설계 준비가 된 고객은 지금 인텔 파운드리와 함께 참여할 수 있습니다.
인텔 18A: FinFET 이후 가장 큰 혁신
RibbonFET 및 PowerVia 도입:
- 인텔이 2011년 HVM에 FinFET을 도입한 이후 인텔의 가장 큰 혁신.
- 인텔 파운드리의 GAA(Gate-all-around) 트랜지스터를 구현한 RibbonFET는 FinFET보다 밀도 및 성능을 향상합니다.
- 최적화된 리본 스택으로 뛰어난 와트당 성능 및 최소 공급 전압(Vmin) 제공.
- PowerVia는 인텔이 업계 최초로 구현한 독보적인 백사이드 전력 공급 아키텍처로써, 표준셀 사용률을 5~10%, ISO 성능은 최대 4% 이상 향상.1
- 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 모바일 응용 프로그램에 적합.
인텔 3: 인텔 최고의 FinFET 노드
대규모 극자외선(EUV)을 사용하는 높은 와트당 성능:
- 1.08배 칩 밀도와 18% 와트당 성능 향상을 갖춘 인텔 4의 진화.2
- 더 밀도 높은 라이브러리, 향상된 구동 전류 및 상호 연결을 추가하며 인텔 4 학습을 통해 더 빠른 수율 향상.
- 일반적인 컴퓨팅 응용 분야에 적합.
12nm: UMC와 협업하여 고객의 선택폭 확대
혁신적인 파트너십을 통한 포트폴리오 확장:
- UMC와 인텔 파운드리는 12nm 기술 플랫폼의 개발에 협력하고 있으며, 인텔의 FinFET 전문 지식과 UMC의 로직 및 혼합 모드/RF 경험을 한데 모았습니다.
- 업계 12nm에 견줄 만한 경쟁력.3
- 지리적으로 다양하고 탄력적인 공급망에 대한 액세스를 통해 고객에게 소싱 결정에 더 넓은 선택의 폭을 제공합니다.
- 모바일, 무선 연결, 네트워킹 응용 프로그램과 같이 성장 폭이 높은 시장에 적합합니다.
인텔 16: FinFET에 이상적인 게이트웨이
평판(Planar)형의 유연성이 있는 FinFET의 장점:
- 마스크 수는 줄고 백엔드 설계 규칙은 간단한 16nm 클래스 노드의 성능.
지금 미리 보기
인텔 14A: RibbonFET와 결합된 2세대 PowerVia
업계 최초의 높은 개구수(High NA) EUV
- 높은 NA는 비용 효율적인 확장의 기반입니다.
인텔의 다른 세계 정상급 파운드리 오퍼링 보기
인텔은 차세대 실리콘 개발을 지원하기 위해 전 세계 제조 현장에 다수 투자하여 글로벌 리더십을 주도하고 있습니다. 인텔의 독보적인 오퍼링은 고급 공정 기술을 기반으로 하며 인텔의 견고한 파트너 생태계가 뒷받침합니다.
Intel Foundry Portal
고지 및 면책 조항4
제품 및 성능 정보
고성능 컴퓨팅 및 SOC 제품 응용 프로그램을 위한 인텔 3 고급 FinFET 플랫폼 기술, 2024 VLSI 심포지엄의 일부로 소개되었습니다.
노드 설계 사양에 따름.
이 웹페이지에는 미래 기술 및 제품 그리고 기술 및 제품의 예상되는 이점과 가용성 관련 등을 포함하여 인텔의 미래 계획 또는 기대치에 대한 미래 예측 진술이 포함되어 있습니다. 이 진술은 현재의 기대치에 근거하고 있고 실제 결과가 그러한 진술에서 명시 또는 암시된 것과 실질적으로 다를 수 있는 많은 위험성 및 불확실성과 관련 있습니다. 실제 결과가 실질적으로 다를 수 있는 요인에 관한 자세한 내용은 www.intc.com에서 가장 최근 수익 발표 및 SEC 제출을 살펴보십시오.