인텔® 22nm 기술

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

대량 제조가 가능한 세계 최초의 3D 트랜지스터

3D, 22nm: 성능과 전력 효율성의 조화

2011년, 인텔은 마이크로프로세서 제품군인 22nm로 제조된 3D 트랜지스터에 완전히 새로워진 기술을 접목하며 업계를 선도했습니다.

마이크로프로세서의 핵심인 트랜지스터는 그동안 2D(평면) 기기였습니다. 인텔® 3D 트리게이트 트랜지스터와 이를 대용량으로 제조할 수 있는 역량은 컴퓨터 칩의 근본적인 구조에 드라마틱한 변화를 일으켰습니다. 트랜지스터 채널이 3D로 발전하자 트랜지스터의 컨트롤이 개선되었으며 트랜지스터가 켜져 있을 때는 전류가 극대화되고(최고 성능 지원), 꺼져 있을 때는 최소화되었습니다(누설 전류 감소).

인텔은 이러한 트랜지스터를 통해 고속 슈퍼컴퓨터부터 소형 모바일 기기까지 세계적 수준의 제품을 지속적으로 지원할 수 있었습니다.

필수 요소인 트랜지스터

트랜지스터의 크기와 구조는 무어의 법칙이 선사하는 이점을 사용자에게 전달하기 위한 기술의 핵심 축을 이룹니다. 트랜지스터는 일반적으로 크기가 작을수록, 전력 효율이 높을수록 더 좋습니다. 2007년 High-K/Metal Gate의 45nm, 2009년 32nm, 2011년 대량 로직 공정이 시작된 세계 최초 3D 트랜지스터 22nm, 2014년 2세대 3D 트리게이트 트랜지스터 14nm까지 인텔은 세계 최초 시리즈를 통해 제조 기술을 지속적으로 미세화하고 있습니다.

인텔은 트랜지스터 기술의 지속적인 발전을 통해 놀라운 전력 효율성과 더욱 강력해진 성능의 프로세서를 설계하고 있습니다. 새로운 프로세서는 혁신적인 마이크로아키텍처와 SOC(System-on-Chip) 설계, 서버와 PC 및 스마트폰을 아우르는 신제품 그리고 혁신적인 소비자 제품의 기반이 됩니다.

인텔이 실리콘으로 22nm 칩을 만드는 방법 간단히 살펴보기

3차원 트랜지스터

인텔® 3D 트리게이트 트랜지스터는 3D 구조의 실리콘 채널을 3개의 게이트로 둘러싸는 방식으로 최상의 성능과 에너지 효율을 제공합니다. 인텔은 스마트폰과 태블릿 등의 휴대용 기기에서 초저전력의 고유한 장점을 활용하는 동시에 고급형 프로세서에 일반적으로 기대되는 향상된 성능을 제공할 수 있도록 3D 트라이 게이트 트랜지스터를 설계했습니다.

인텔 22nm 트랜지스터 기술에 대해 알아보기 ›

3세대 인텔® 코어™ 프로세서

2011년 말에 소개된 3세대 인텔® 코어™ 프로세서는 3D 트랜지스터를 활용한 최초의 고용량 칩이었습니다.